TO-263 전계 효과 MOS 튜브, FDB035AN06A0 패치, 10 개 Best Top5

TO-263 전계 효과 MOS 튜브, FDB035AN06A0 패치, 10 개

TO-263 전계 효과 MOS 튜브, FDB035AN06A0 패치, 10 개

전자 장비를 설계하고 조립할 때 전계 효과 트랜지스터(FET)는 필수적인 구성 요소입니다. 특히 TO-263 패키지의 FDB035AN06A0 FET는 다양한 애플리케이션에서 탁월한 성능을 제공합니다. 이 블로그에서는 FDB035AN06A0 FET의 특징, 장점, 애플리케이션을 살펴보겠습니다.

FDB035AN06A0 FET의 특징

FDB035AN06A0 FET는 Fairchild Semiconductor에서 제조하는 N채널 향상형 MOSFET입니다. 다음과 같은 주요 특징이 있습니다.

  • TO-263 패키지
  • 60V 드레인-소스 전압
  • 0.035Ω 온 저항
  • 10A 지속 드레인 전류
  • -55°C ~ 150°C 작동 온도 범위

FDB035AN06A0 FET의 장점

이러한 특징 덕분에 FDB035AN06A0 FET는 다음과 같은 여러 장점을 제공합니다.

  • 낮은 전력 손실: 낮은 온 저항으로 인해 전력 손실이 최소화됩니다.
  • 빠른 스위칭 속도: 고속 스위칭 응답으로 인해 효율적인 전력 변환이 가능합니다.
  • 높은 전류 처리 용량: 10A 지속 드레인 전류는 높은 전류 애플리케이션에 적합합니다.
  • 넓은 작동 온도 범위: -55°C ~ 150°C의 작동 온도 범위는 다양한 환경에서 사용할 수 있습니다.

FDB035AN06A0 FET의 애플리케이션

FDB035AN06A0 FET는 다음을 포함한 다양한 애플리케이션에 사용할 수 있습니다.

  • 전력 변환기
  • 스위칭 레귤레이터
  • 모터 제어
  • LED 조명
  • 배터리 관리

FDB035AN06A0 FET는 TO-263 패키지의 고성능 전계 효과 트랜지스터입니다. 낮은 전력 손실, 빠른 스위칭 속도, 높은 전류 처리 용량, 넓은 작동 온도 범위를 제공합니다. 이러한 특징으로 인해 FDB035AN06A0 FET는 전력 변환, 스위칭 레귤레이터, 모터 제어, LED 조명, 배터리 관리와 같은 다양한 애플리케이션에 이상적입니다.

FAQ

FDB035AN06A0 FET의 게이트-소스 전압은 얼마입니까?

FDB035AN06A0 FET의 게이트-소스 전압은 최대 20V입니다.

FDB035AN06A0 FET의 드레인-소스 전류는 얼마입니까?

FDB035AN06A0 FET의 지속 드레인-소스 전류는 10A입니다.

FDB035AN06A0 FET의 온 저항은 얼마입니까?

FDB035AN06A0 FET의 온 저항은 0.035Ω입니다.

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TO-263 전계 효과 MOS 튜브, FDB035AN06A0 패치, 10 개

  1. 소스-드레인 전압: 60V
  2. 게이트-소스 전압: ±20V
  3. 온 저항: 0.003Ω (최대)

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